လိုအပ်ချက်များအတွက် RF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာများ ရွေးချယ်ရာတွင် အရေးကြီးသော အချက်များ

RF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာ စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ဖရီကွင်စီအကွာအဝေးနှင့် ဘန်းအလိုက်လိုအပ်ချက်များ

Satcom၊ Radar နှင့် EW စနစ်များတွင် Ka-Band၊ Q-Band နှင့် mmWave အသုံးပြုမှုများကို နားလည်ခြင်း

ယနေ့ခေတ်တွင် RF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာများကို Ka-Band (26.5 မှ 40 GHz)၊ Q-Band (33 မှ 50 GHz) နှင့် mmWave (30 မှ 300 GHz) ကဲ့သို့သော မိုက်ခရိုဝိတ်ဖရီကြန်စီများအတွက်သာ တည်ဆောက်ထားပါသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် ဤဘန်းဒ်များသည် ဂြိုလ်တုဆက်သွယ်ရေး၊ ရဒါစနစ်များနှင့် အီလက်ထရွန်းနစ်စစ်ပွဲပစ္စည်းများတွင် မတူညီသောလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းပေးပါသည်။ Ka-Band သည် ရရှိနိုင်သော ဘန်းဝစ်စက်ခြင်းနှင့် အက်တမ်မှတဆင့် မည်မျှကောင်းစွာထိုးဖောက်နိုင်သည့်အကြားတွင် ကောင်းမွန်သော အချိုးအစားကိုရရှိစေပါသည်။ ထို့ကြောင့် ဂြိုလ်တုလင့်ခ်များအတွက် လူကြိုက်များပါသည်။ mmWave ဖရီကြန်စီများသို့ တိုးမြှင့်လာပါက အခြားအရာများကိုလည်း ဆောင်ကြဉ်းပေးပါသည်။ ဤအမြင့်ဆုံးဖရီကြန်စီများကြောင့် 5G ကွန်ရက်များအတွက် အလွန်မြန်ဆန်သော တုံ့ပြန်မှုအချိန်များနှင့် စစ်တပ်၏ နောက်ဆုံးပေါ်ဆင်ဆာများတွင် လိုအပ်သော အရာများကို ဖြည့်ဆည်းပေးပါသည်။ နိုင်ငံတကာ တယ်လီကွန်းမျူနီကေးရှင်းသမဂ္ဂမှ မကြာသေးမီကထုတ်ပြန်ခဲ့သော အစီရင်ခံစာအရ 60 GHz တွင် (V-Band ဟုခေါ်သည်) စိုစွတ်သောလေထုရှိ ရေငွ့်များက တစ်ကီလိုမီတာလျှင် ဒက်စီဘယ် ၁၅ အထိ တိုးမြှင့်စွာ ဆိုက်ရောက်နိုင်ပါသည်။ ထိုကဲ့သို့သော ဆုံးရှုံးမှုများကြောင့် အင်ဂျင်နီယာများအနေဖြင့် ဤစနစ်များကို တည်ဆောက်ရာတွင် သူတို့၏ လည်ပတ်မှုဖရီကြန်စီများကို ဂရုတစိုက်ရွေးချယ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။

လေထုဆိုင်ရာ စွမ်းရည်လျော့နည်းမှုများနှင့် RF ပါဝါထုတ်လွှားမှုလိုအပ်ချက်များအပေါ်တွင် သက်ရောက်မှုများ

မြင့်မားသော ဖရီကြန်စီ ဘန်းများကို အသုံးပြုစဉ်တွင် မိုးရာသီကာလများနှင့် အောက်ဆီဂျင်စုပ်ယူမှုတို့သည် မိုးရာသီကာလများကို ပျက်စီးစေသည်။ Ka-Band ကို ဥပမာအဖြစ်ယူပါက မိုးချုပ်ကာလများအတွင်းတွင် ဆိုင်းနယ်ဆုံးရှုံးမှုသည် ကီလိုမီတာလျှင် ဒီဘီ ၅ ထက်ပို၍ ရှိနိုင်သည်။ ဆက်သွယ်ရေးကို တည်ငြိမ်စေရန်အတွက် ပါဝါအား ၂၀% ခန့် ထပ်မံထုတ်လွှားရန် လိုအပ်သည်။ Q-Band radar ဖရီကြန်စီများတွင် ပို၍ ရှုပ်ထွေးသည်။ ၄၇ GHz အနီးတွင် လေထုသည် ဆိုင်းနယ်များကို ပြန့်ကျဲစေသောကြောင့် တစ်ခါတစ်ရံတွင် စွမ်းရည်ကို တစ်ဝက်ခန့် လျော့နည်းစေသည်။ ကမ်းရိုးတန်းဒေသများ သို့မဟုတ် စိုထိုင်းဆများသောဒေသများသည် အထူးသဖြင့် စိန်ခေါ်မှုများကို ဖြစ်စေသည်။ အင်ဂျင်နီယာများသည် အများအားဖြင့် အမှုန်းအဆ ၃၀ မှ ၅၀% အထိ အမှုန်းအဆ ထပ်တိုးသော ပါဝါအား တည်ဆောက်ထားကြသည်။ အဘယ်ကြောင့်နည်းမှုများကို အများအားဖြင့် တွေ့ရပါသည်။ မီလီမီတာလှိုင်းအသုံးချမှုများနှင့် စမ်းသပ်မှုများသည် ဤအချက်ကို အထောက်အပံ့ပြုပါသည်။ အကောင်းဆုံးအခြေအနေများအတွက် စီစဉ်ထားခြင်းသည် လက်တွေ့တွင် အကျိုးရှိကြောင်း ပြသပါသည်။

စနစ်ဆိုင်ရာ ဆိုင်းနယ်ပြန့်ပွားမှုလိုအပ်ချက်များနှင့်အညီ ပါဝါမြှောက်စက် ဘန်းဝစ်ကိုက်ညီမှု

စနစ်များ စုစုပေါင်း စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ်တွင် ဘန်ဒ်ဝစ်သည် အဆင်ပြေစေရန် အကျိုးသက်ရောက်မှုရှိသည်။ 12 မှ 18 GHz အတွင်း လည်ပတ်နေသော Ku-Band ဂြိုလ်တုချိတ်ဆက်မှုကို ဥပမာအဖြစ်ယူပါ။ အကယ်၍ 500 MHz ဘန်ဒ်ဝစ်အတွက် လိုအပ်ပါက ကျွန်ုပ်တို့သည် မှန်သော ပုံစံအတိုင်း ပြည့်စုံသော ပြောင်းလဲမှုများကို အမှန်တကယ်လိုအပ်ပါသည်။ အခြားနီးစပ်သော ချန်နယ်များနှင့် တိုက်ဆိုင်မှုမရှိစေရန်အတွက် ကျွန်ုပ်တို့သည် မှန်သော ပုံစံအတိုင်း ပြည့်စုံသော ပြောင်းလဲမှုများကို အမှန်တကယ်လိုအပ်ပါသည်။ ယခုတွင် ပို၍ရှုပ်ထွေးသော အီလက်ထရွန်းနစ် စစ်ပွဲများ အနှောက်အယှက်ပေးသည့် စနစ်များကိုကြည့်ပါ။ ဤကဲ့သို့သော စနစ်များတွင် 2 GHz ထက်ပိုသော ဘန်ဒ်ဝစ်များကို ကိုင်တွယ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ ထို့ကြောင့် ဂယ်လီယမ် နိုက်ထရိုက် အခြေခံထားသော ပြောင်းလဲမှုများကို အသုံးပြုကြသည်။ အလုပ်လုပ်နေသော အကွာအဝေးတွင် တစ်ဝက်ဒက်စီဘယ် ပြောင်းလဲမှုကို အမြဲတမ်းထိန်းသိမ်းထားပါသည်။ အင်ဂျင်နီယာများသည် အချိန်မီ အက်မစ်တန်စီ ပြောင်းလဲမှုများကို ညှိနှိုင်းရန်အတွက် ဖိအားပေးသော နည်းလမ်းများကို မကြာခဏ အသုံးပြုကြသည်။ ဤနည်းလမ်းများသည် -15 dB အဆင့်များအောက်သို့ လက်ခံနိုင်သော လက္ခဏာများကို လျော့နည်းစေပြီး မော်ဒန် ဖေ့စ်အေးရေးရာဒါ တပ်ဆင်မှုများအတွက် အရေးကြီးသော 95% ပါဝါ လွှဲပြောင်းမှု ထိရောက်မှုကို ချဉ်းကပ်ရန် ကူညီပေးသည်။

ထုတ်လုပ်မှုပါဝါ၊ အချက်အလက်အမျိုးအစား၊ လိုင်းနီယာဆိုင်းရာများကို စီမံခန့်ခွဲခြင်း- ပီကျူအော်ဗာဂျူပါဝါနှုန်း နှင့် P1dB ဖိအားလျော့နည်းမှု

CW၊ AM နှင့် ရှုပ်ထွေးသော အချက်အလက်များအတွက် အများဆုံးပါဝါလိုအပ်ချက်များကို တွက်ချက်ခြင်း

စဉ်ဆက်မပြတ်လှိုင်း (CW) အချက်ပြမှုများနှင့် အများအားဖြင့် (AM) အချက်ပြမှုများကို ကိုင်တွယ်ရာတွင် အများဆုံးပါဝါသည် ပျမ်းမျှပါဝါအဆင့်နှင့် ကိုက်ညီမှုရှိသောကြောင့် ကျွန်ုပ်တို့လိုအပ်သော ပါဝါဆဲလ်၏အရွယ်အစားကို ရှာဖွေရာတွင် ပိုမိုလွယ်ကူစေသည်။ သို့ရာတွင် 64QAM သို့မဟုတ် OFDM ကဲ့သို့သော ပိုမိုတိုးတက်သော မော်ဒြူလေးရှင်းပုံစံများကို အသုံးပြုသည့်အခါတွင် အရာများသည် ရှုပ်ထွေးလာပါသည်။ ဤအချက်ပြမှုများသည် ၎င်းတို့၏ အများဆုံးနှင့် ပျမ်းမျှပါဝါအချိုး (PAR) ကြောင့် ပါဝါတိုးလျော့မှုများစွာကို ဖန်တီးသည်။ ဥပမာအားဖြင့် 64QAM သည် ပုံမှန်အားဖြင့် PAR တွင် ၃.၇ dB ခန့်ရှိသည်။ OFDM တွင် PAR သည် ၁၂ dB ကျော်လွန်သွားနိုင်သည်။ ဤကြောင့် အချက်ပြမှုများ၏ ပုံစံကို ပျက်ပြားမှုမရှိစေရန် အနည်းဆုံး ၆ dB အောက်တွင် ပါဝါဆဲလ်များကို လည်ပတ်ရန် လိုအပ်သည်။ ရေဒါစနစ်များမှသည် ဂြိုလ်တုဆက်သွယ်ရေးနှင့် ယခုအချိန်တွင် ၅G ကွန်ရက်များအတွက် အရည်အသွေးကောင်းမွန်သော အချက်ပြမှုကို ထိန်းသိမ်းရာတွင် ဦးတည်ရန်လိုအပ်သော အရာများကို ရရှိရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။

RF ပါဝါဆဲလ်ရွေးချယ်မှုတွင် PAR နှင့် ထိပ်ဆုံးအချိုး၏ အခန်းကဏ္ဍ

ပျမှော်ချိန်နှင့် အများဆုံးပမာဏကို နှိုင်းယှဉ်တိုင်းထွားသည့် PAR (peak-to-average ratio) နှင့် ချိန်ပိုင်းဆိုင်ရာ အချိုးအစားတို့သည် အများဆုံး ထွက်ရှိမှုစွမ်းရည်၏ အများပိုင်းအောက်တွင် အမှန်တကယ် လိုအပ်သော အသံမြှင့်စက်၏ တည်ငြိမ်မှုနှင့် ထိရောက်မှုတို့ကို ဆုံးဖြတ်ရာတွင် အဓိက အခန်းကဏ္ဍမှ ပါဝင်ပါသည်။ အများပိုင်းအသံမြှင့်စက်များသည် အများဆုံးထွက်ရှိမှုစွမ်းရည်၏ အောက်ခြေ ၆ မှ ၇ dB အထိ အပိုနေရာကို လိုအပ်ပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့် ၄၀ ဝပ်ရှိသော အသံမြှင့်စက်ကို ယူဆပါ။ အကယ်၍ ၎င်းသည် ၁၀ dB ချိန်ပိုင်းဆိုင်ရာ အချိုးအစားရှိသော အချက်ကို ဖြတ်သန်းပါက အမှန်အကန် ၄ ဝပ်ခန့်သာ ပေးပို့နိုင်မည်ဖြစ်ပြီး အသံပိုင်းပျက်စီးမှုကို ကာကွယ်နိုင်မည်ဖြစ်ပါသည်။ ဤကဲ့သို့သော အကျိုးသက်ရောက်မှုများကို လျစ်လျူရှု၍ မရတော့ပါ။ အထူးသဖြင့် နှုန်းထားများ မြဲမြံစွာ ပြောင်းလဲနေသော အချက်အလက်များကို လိုက်နာရမည့် ခေတ်မီဆက်သွယ်ရေးစနစ်များတွင် အထူးသဖြင့် ၅G ကွန်ရက်များ သို့မဟုတ် အီလက်ထရွန်းနစ် စစ်ပွဲဆိုင်ရာ ကိရိယာများတွင် အသံပိုင်းများ၏ အင်တင်စီတီများ များပြားစွာ ပြောင်းလဲနေသည့်အခါတွင် ပိုမို၍ မလျစ်လျူရှုနိုင်ပါ။

P1dB အောက်တွင် လည်ပတ်ခြင်းဖြင့် ဖိအားနှင့် ပျက်စီးမှုများကို ရှောင်ရှားပါ။

အမှုန်သံချဲ့ကိရိယာသည် 1 dB ချုပ်နှောင်မှုအမှတ် သို့မဟုတ် P1dB အတိုကောက်သို့ရောက်သောအခါတွင် အရာအားလုံးမှာ မူလအတိုင်းမဟုတ်တော့ပါ။ ဤနေရာကိုကျော်လွန်ပါက ပြဿနာများသည် အများအပြားဖြစ်ပေါ်လာပြီး ဟားမောနစ် ဒစ်စတိုးရှင်းနှင့် အခြားနှောင့်ယှက်သော အီနာမောဒူလေးရှင်း ထုတ်ကုန်များကိုတွေ့ရပြီး အခြေအနေအားလုံးသည် သေးယဥ်းသော အခြေအနေသို့ရောက်သွားပါသည်။ ပလုဆဲလ်ဆိုင်နယ်များနှင့် အလုပ်လုပ်နေသော ရဒါစနစ်များအတွက် အင်ဂျင်နီယာများသည် ယေဘုယျအားဖြင့် P1dB အမှတ်ထက် ၃ မှ ၅ dB အောက်တွင် ထိန်းထားရန် ရည်ရွယ်ပါသည်။ သို့ရာတွင် ပိုမိုရှုပ်ထွေးသော မော်ဒူလေးရှင်းလုပ်ထားသည့် ဆိုင်နယ်များနှင့် ကိုင်တွယ်ရာတွင် အမြဲတမ်းအားဖြင့် ၆ မှ ၁၀ dB အထိ အပိုနေရာလိုအပ်ပါသည်။ Gallium nitride (GaN) အမှုန်သံချဲ့ကိရိယာများသည် အများအားဖြင့် အရင်ကကျော်ကြားသော လှိုင်းခြေတိုင်ချဲ့ကိရိယာ (TWT) နည်းပညာထက် ပိုမိုမြင့်မားသော P1dB အဆင့်များကို ရရှိနိုင်သောကြောင့် နောက်ပိုင်းတွင် လူကြိုက်များလာပါသည်။ ဤအချက်မှာ ဒီဇိုင်းများအတွက် ပိုမိုကျဉ်းမြောင်းသော လိုင်းနီယာရီတီ နေရာများကို အသုံးပြုရန် ခွင့်ပြုပေးပြီး နေရာ၊ အလေးချိန်နှင့် စွမ်းအင်စားသုံးမှုတို့ကို အထူးတလည် ဂရုစိုက်ရသည့် အသုံးချမှုများတွင် တန်ဖိုးရှိသောအကျိုးကျေးဇူးများကို ပေးစွမ်းပါသည်။

အဆင့်ဆင့်ချဉ်းကပ်မှုက အမှန်အကန် ပါဝါအများဆုံး၊ လိုင်းနီယာဖြစ်မှုနှင့် အမှန်အကန် ထိရောက်မှုတို့၏ အကောင်းဆုံးအချိုးအစားကို RF ပါဝါအများပြားစက်များ အသုံးပြုရာတွင် သေချာစေသည်။

မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်း RF ပါဝါအများပြားစက်ဒီဇိုင်းတွင် ထိရောက်မှု၊ အများပြားမှုနှင့် လိုင်းနီယာဖြစ်မှုတို့၏ အကျိုးကျေးဇူးများ

ခေတ်မှီ RF ပါဝါအများပြားစက်များတွင် ထိရောက်မှုနှင့် လိုင်းနီယာဖြစ်မှုတို့ကို မျှတစွာထိန်းသိမ်းခြင်း

အလွန်မြင့်မားသော RF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာများတွင် အင်ဂျင်နီယာများသည် စွမ်းဆောင်ရည်ကို လိုင်းနီယာရီတီလိုအပ်ချက်များနှင့် တွဲဖက်ထားရပါသည်။ Class-EF ဒီဇိုင်းများသည် 1.9 မှ 2.9 GHz အထိ ကျယ်ပြန့်သော ဘန်ဒ်ဝစ်ပိုင်းများကို ဖြည့်စွက်ပေးရန်အတွက် 70 မှ 83 ရာခိုင်နှုန်းခန့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ဖမ်းယူထားပြီး မကြာသေးမီက Nature တွင် ထုတ်ဝေထားသည့် စွမ်းအားထုတ်လုပ်မှုသည် 39.5 dBm ထက် ပိုမိုပေးသည်။ သို့သော် OFDM သို့မဟုတ် QAM မုဒူလေးရှင်းစနစ်များကို အသုံးပြုသည့်စနစ်များအတွက် အကျယ်ပြန့်အက်မစ်ရှင်များအတွက် စည်းကမ်းချက်များအတွင်းတွင် နေရန် လိုအပ်သော တင်းကျပ်သော လိုင်းနီယာရီတီထိန်းချုပ်မှုများကို လိုအပ်သောကြောင့် အခက်အခဲတစ်ခုရှိပါသည်။ အလျော့တစ်ခုအနေဖြင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ၁၅ မှ ၂၀ ရာခိုင်နှုန်းခန့် လျော့နည်းစေပါသည်။ အများအားဖြင့် အမှန်တကယ်အသုံးချမှုများတွင် ဒစ်ဂျစ်တယ် ပရီဒစ်စတို့ရှင်းနည်းလမ်းများနှင့် တွဲဖက်၍ အက်ဒေါ့ပ်တစ်ဗ် ဘိုင်အက်စ်နည်းလမ်းများကို ထည့်သွင်းအသုံးပြုခြင်းဖြင့် ဤကန့်သတ်ချက်ကို ကျော်လွှားနိုင်ပါသည်။ ဤနည်းလမ်းများသည် 5G အဆောက်အအုံများနှင့် ဆက်သွယ်ရေးကွန်ရက်များတွင် လိုအပ်သော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းပေးရန်အတွက် အထောက်အကူဖြစ်စေပါသည်။

အဆင့်ဆင့် RF စနစ်များတွင် ဆုံးရှုံးမှုနှင့် အသံထွက်ပုံစံ

အများအားဖြင့် RF ချိတ်ဆက်မှုများတွင် စုစုပေါင်းဆုံးရှုံးမှုနှင့် အသံထွက်ပုံစံသည် အချက်အလက်များ၏ တိကျမှုကို အရေးကြီးစွာသက်ရောက်သည်။ အဆင့်တစ်ခုချင်းစီသည် လိုအပ်သောအချက်အလက်များနှင့် ရှေ့ပိုင်းအစိတ်အပိုင်းများမှ အသံကို တိုးမြှင့်ပေးသည်။ ပထမအဆင့်သည် အသံထွက်ပုံစံကို အကောင်းဆုံးလုပ်ဆောင်ပေးသောကြောင့် အနိမ့်ဆုံးအသံထွက်ပုံစံ (LNA) များသည် လက်ခံကိရိယာများတွင် အရေးကြီးသည်။

PA ဆုံးရှုံးမှုသည် နောက်ဆက်တွဲဆုံးရှုံးမှုများကို ပြန်လည်ဖြည့်စွက်ပေးရန် လိုအပ်သော်လည်း အလွန်အကျွံဆုံးရှုံးမှုများသည် နောက်ဆက်တွဲအဆင့်များကို ဖိအားပေးခြင်းကို ဖြစ်စေပြီး စနစ်၏ တိုက်ရိုက်ဖြစ်မှုကို ဆိုးရွားစေသည်။

အလိုက်သက်သော အခြေအနေများတွင် အမျိုးအစားများကို တားဆီးခြင်းနှင့် အချက်အလက်များ၏ တိကျမှု

စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် အမ်ပီယာများကို ၎င်းတို့၏ ဆေးရှုးရောနှောမှု အချိန်အထိ အသုံးပြုခြင်းသည် ပိုမိုများပြားသော ဟားမောနစ်များ ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ကလတ်စ်-EF ဒီဇိုင်းချဉ်းကျွန်းမှုသည် ဒုတိယမှ ပဉ္စမအမျိုးအစား ဟားမောနစ်များကို လျော့နည်းစေရန် အထူး ဟားမောနစ်ထိန်းချုပ်မှု ကွန်ရက်များကို အသုံးပြု၍ ဤပြဿနာကို ဖြေရှင်းပေးသည်။ ဤကွန်ရက်များသည် အချိုးကျသော အခက်အခဲများကို ကိုက်ညီစေခြင်းဖြင့် ကလတ်စ်-F စီမံခန့်ခွဲမှုများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက မလိုလားအပ်သော ထုတ်လွှင့်မှုများကို ၂၅ မှ ၄၀ dBc အထိ လျော့နည်းစေသည်။ အကျိုးလေးသည် ရဒါနှင့် အီလက်ထရွန်နစ် စစ်ပွဲများအတွက် လိုအပ်သော စီဂနယ် အရည်အသွေးကို ထိခိုက်မှုမရှိဘဲ ဒီဇိုင်းများသည် ၈၀% ထက်ပိုမိုသော စွမ်းဆောင်ရည်ကို ရရှိနိုင်သည်။ သို့သော်လည်း အင်ဂျင်နီယာများသည် များပြားသော ကာရီယာများဖြင့် လုပ်ဆောင်နေသော အခြေအနေများတွင် အပြန်အလှန် မုဒ်လေးရှင်း ဒစ်စတိုးရှင်း ပြဿနာများနှင့် အလားအလာရှိနိုင်သည့် ပြဿနာများကို သတိပြုရန် အထူးလိုအပ်ပါသည်။ အမှန်တကယ် စမ်းသပ်မှုအနည်းငယ်သည် ထုတ်လုပ်မှုစနစ်များတွင် အဓိကပြဿနာများ ဖြစ်လာမီ ဤပြဿနာများကို ပြသပေးပါသည်။

RF ပါဝါအမျိုးအစားများ အသုံးပြုခြင်းတွင် ကုသိုလ်စီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် SWaP-C အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း

ပါဝါ ဆုံးရှုံးမှုနှင့် အလုပ်လုပ်ချိန်အပေါ် အခြေခံ၍ အအေးပေးမှု လိုအပ်ချက်များ

စက်ပစ္စည်းများ အမှန်တကယ် လည်ပတ်မှုနှင့် စွမ်းအင် အသုံးပြုမှုကိုက်ညီစေရန် အပူဒီဇိုင်းကို တိကျစွာ ပြုလုပ်ရန် လိုအပ်ပါသည်။ ယနေ့ခေတ်တွင် တည်ဆောက်နေသည့် ရဒါစနစ်များ သို့မဟုတ် 5G ဆဲလ်တိုဝါများတွင် တစ်ခါမက အသုံးပြုနေသည့် RF အမှုန့်တိုးကို ဥပမာအားဖြင့် စဉ်းစားကြည့်ပါ။ ထိုကဲ့သို့သော ပစ္စည်းများသည် အသွင်းစွမ်းအင်၏ ဝက်တစ်ဝက်မှ သုံးပုံနှစ်ပုံအထိ တိုက်ရိုက် အပူအဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲလေ့ရှိပါသည်။ ယခု GaN အခြေခံသော အစိတ်အပိုင်းများကဲ့သို့ စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုသည် စတုရန်းမီလီမီတာလျှင် ၃ ဝပ်ထက်ပိုသည့် အခြေအနေကို စဉ်းစားကြည့်ပါ။ ထိုကဲ့သို့ အဆင့်အတန်းတွင် ပုံမှန်လေအေးစက်များသည် အလုပ်မဖြစ်တော့ပါ။ ထုတ်လုပ်သူများသည် ပိုမို၍ လေအေးစက်များ သို့မဟုတ် အပူဖယ်ရှားရေစနစ်များကို အသုံးပြုရန် လိုအပ်ပါလိမ့်မည်။ နောက်တစ်ခုမှာ အလွန်အကျူး ပတ်ဝန်းကျင်အခြေအနေများ ဖြစ်ပေါ်မှုဖြစ်ပါသည်။ အာကာသယာဉ်များတွင် တွေ့ကြုံရသည့် အပူချိန်မှာ စင်တီဂရိတ် ၄၀ ဒီဂရီမှ ၈၅ ဒီဂရီအထိ ရှိတတ်ပါသည်။ ထိုကဲ့သို့ အပူချိန် ကွာခြားမှုများသည် အပူဖယ်ရှားပစ္စည်းများ၏ လုပ်ဆောင်မှုကို မည်မျှထိ ထိရောက်စေပြီး အင်ဂျင်နီယာများက အစိတ်အပိုင်းများအတွက် မည်သည့်ပစ္စည်းများကို ရွေးချယ်သင့်သည်ကို သက်ရောက်မှုရှိပါသည်။ ထိုကဲ့သို့ အသုံးပြုရမည့် ပစ္စည်းများကို ရွေးချယ်သည့်အခါတွင် အပူချဲ့ထုတ်မှုသည် အဓိက စဉ်းစားရမည့် အချက်တစ်ခု ဖြစ်လာပါသည်။

အပူချိန်ဒီဇိုင်း၏ ရေရှည်တည်ငြိမ်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချမှုအပေါ် သက်ရောက်မှု

အပူချိန်စီမံမှုမကောင်းခြင်းသည် အစိတ်အပိုင်းများ၏ သက်တမ်းကို အများအားဖြင့် တိုစေပါသည်။ ၂၀၂၂ ခုနှစ်က IET Microwaves မှ လုပ်ထားသည့် လေ့လာမှုအချို့အရ အပူချိန်မြင့်မားနေသည့် ပတ်ဝန်းကျင်တွင် အမ်ပလီဖိုင်ယာများ၏ သက်တမ်းသည် ၄၀% ခန့် လျော့နည်းသွားနိုင်ကြောင်း တွေ့ရပါသည်။ ထို့ကြောင့် အင်ဂျင်နီယာများသည် အယ်လ်ယူမီနီယမ် ဆီလီကွန်ကာဘိုဒ် (AlSiC) ကဲ့သို့သော ပစ္စည်းများကို အသုံးပြုရန် လှည့်စားနေကြခြင်းဖြစ်သည်။ အကြောင်းမှာ ပစ္စည်းများသည် အပူပေးသည့်အခါတွင် ကွန်ပျူတာချစ်ပ်များနှင့် အလားတူနှုန်းဖြင့် ကျယ်ပြန့်သောကြောင့် ဖြစ်ပါသည်။ အပူလွှဲပြောင်းရာတွင် ကြုံတွေ့နေရသည့် ပြဿနာများအတွက် ၈ W/m K ထက်ပိုမိုသော ပစ္စည်းများကို အသုံးပြုခြင်းသည် ကြီးမားသော ကွာခြားမှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။ အစိတ်အပိုင်းများကြားရှိ အပူချိန်ကွာခြားမှုများကို တစ်သမတ်တည်းဖြစ်အောင် ကူညီပေးသောကြောင့် အပူချိန်မြင့်မားသော နေရာများကို လျော့နည်းစေပါသည်။ အထူးသဖြင့် တစ်ပြိုင်နက်တည်း အခြားသော အကြိမ်နှုန်းများကို ကိုင်တွယ်ဖြေရှင်းနေသည့် စနစ်များတွင် ဖြစ်ပေါ်စေသည့် အနှောက်အယှက်ဖြစ်စေသည့် အကြိမ်နှုန်းများကို ဖြစ်ပေါ်စေပါသည်။

စစ်ရေးနှင့် စီးပွားရေးစနစ်များတွင် အရွယ်အစား၊ အလေးချိန်၊ စွမ်းအင်နှင့် စရိတ် (SWaP-C) ကန့်သတ်ချက်များကို ဖြေရှင်းခြင်း

ယနေ့ခေတ်တွင် စစ်တပ်သည် ၁၀၀ ဝပ်ထက်ပို၍ ထုတ်လုပ်နိုင်သော်လည်း ထက်ဝက်လီတာအောက်ခြားသောနေရာတွင် တပ်ဆင်နိုင်သည့် အမျိုးအစားများကို လိုအပ်နေပါသည်။ ဤနည်းဖြင့် ယခင်က အသုံးပြုနေသည့် အမျိုးအစားများထက် ၆၀ ရာခိုင်နှုန်းခန့် သေးငယ်ပါသည်။ စီးပွားဖြစ် ၅ ဂျီ mMIMO အင်တာနာ စီးရီးများအတွက် ကုမ္ပဏီများသည် ဝပ်တစ်ခုလျှင် ထုတ်လုပ်ရာတွင် ၂၅ ဆင့်ထက် ပို၍မကုန်ကျသည့် အမျိုးအစားများကို ရှာနေကြပါသည်။ RF ဒီဇိုင်းပုံစံကို မော်ကွန်းပုံစံဖြင့် တည်ဆောက်ခြင်းဖြင့် မတူညီသော ဖရီကွင်စီများအတွက် စနစ်များကို တိုးချဲ့နိုင်ပြီး စွမ်းအင်ထိရောက်မှုကို ၉၀ ရာခိုင်နှုန်းထက် ပို၍ ထိန်းထားနိုင်ပါသည်။ လေကြောင်းရာဒါ အသုံးချမှုများအတွက် ပုံမှန်ပစ္စည်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အလူမီနီယမ် နိုက်ထရိုက် ပြားများသုံးခြင်းဖြင့် စုစုပေါင်းအလေးချိန်ကို ၃၅ ရာခိုင်နှုန်းခန့် လျော့နည်းစေပါသည်။ အချိန်တိုင်းတွင် ပို၍ကောင်းမွန်သော လေယာဉ်ပျံဆိုင်ရာ လုပ်ဆောင်မှုများအတွက် ဤအချက်မှာ အရေးပါသော အချက်တစ်ချက်ဖြစ်ပါသည်။

TWT နှင့် ဆောလစ်စတိတ် (GaN) အမျိုးအစားများ- မြင့်မားသောဖရီကွင်စီအသုံးချမှုများအတွက် နည်းပညာနှိုင်းယှဉ်ခြင်း

စွမ်းဆောင်ရည်နှိုင်းယှဉ်ခြင်း- ခရီးသွားလှိုင်းပြွန်နှင့် GaN RF ပါဝါအမျိုးအစားများ

မြင့်မားသော ပါဝါ mmWave အသုံးချမှုများအတွက် ခရီးသွားလျှပ်စစ်ပြွန် (TWT) ပြင်ဆင်သူများသည် အခြားသူများနှင့် ယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းရှိပြီး ၃၀ GHz အထက်တွင် မိမိ၏ စွမ်းအင်၏ တစ်ဝက်ခန့်ကို ထိရောက်စွာ ပြောင်းလဲနိုင်သော ၁ kW ထုတ်လုပ်နိုင်စွမ်းရှိပါသည်။ နောက်ဘက်တွင် ဂယ်လီယမ် နိုက်ထရိုက် (GaN) အမဲအားပြင်ဆင်သူများသည် ၁ မှ ၂၀ GHz ကြားရှိ နိမ့်ပိုက်ကြိမ်နှုန်းများကို ကိုင်တွယ်ရာတွင် ၆၀ မှ ၇၀% ထိရောက်မှုကို ဖြစ်ပေါ်စေပြီး ပိုမိုနည်းပါးသော နေရာကိုသာ ယူပါသည်။ စစ်တပ်သည် ၂ မှ ၁၈ GHz အထိကျယ်ပြန့်သော အီလက်ထရွန်နစ်စစ်ပွဲစနစ်များအတွက် TWTs ကို နှစ်သက်ပါသည်။ နောက်ပိုင်းတွင် GaN နည်းပညာသည် ဂြိုလ်တုဆက်သွယ်ရေးနှင့် ၅G ကြောနောက်ကြောင်းကွန်ရက်များတွင်လည်း လှိုင်းလုံးများပေါ်တွင် ပေါ်ပေါက်လာပြီး ယခုအချိန်တွင် ၄၀% ကျယ်ပြန့်သော ပိုမိုကျယ်ပြန့်သော ကြိမ်နှုန်းစွမ်းရည်ကို ပေးဆောင်ပါသည်။

အသက်တာ၊ ကျယ်ပြန့်မှုနှင့် ထိရောက်မှု- ဗက်ချုပ်ပြွန်နှင့် ကျူပါကွန်ဒတ်တိက်နည်းပညာများ

TWT အများစုသည် ကက်သုံးသော အသုံးပြုသည့် အချိန်မှာ ၈၀၀၀ မှ ၁၅၀၀၀ နာရီခန့်အထိ အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။ GaN ပစ္စည်းများသည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူချိန်ထိန်းသိမ်းမှုကို ပေးနိုင်ပါက ၁၀၀၀၀၀ နာရီထက်ပင် ကျော်လွန်နိုင်ပါသည်။ စွမ်းအင်သိုမှီထားမှု များပြားမှုတွင်လည်း ကွာခြားမှုကြီးမားပါသည်။ GaN သည် မီလီမီတာလျှင် ၄ ဝပ်ခန့် ပေးစွမ်းနိုင်သောကြောင့် အစိတ်အပိုင်းများကို နေရာယူမှု ၃၀ ရာခိုင်နှုန်းခန့် လျော့နည်းစေပါသည်။ အကျုံးဝင် TWT များမှာ စတုရန်းစင်တီမီတာလျှင် ၁၀ ဝပ်ခန့်သာ ပေးစွမ်းနိုင်ပါသည်။ သို့ရာတွင် Ka ဘန်းရေဒါအသုံးချမှုများအတွက် peak power output တွင် TWT နည်းပညာသည် ၅ ဆခန့် သာလွန်မှုရှိနေပါသည်။ ဆိုက်မီးကွန်ဒတ်တာဖြေရှင်းချက်များ၏ အခြားတစ်ခုသော အားသာချက်မှာ nonlinear operation modes တွင် ဟာမိုနစ်ပုံစံများကို ၁၂ ဒက်စီဘယ်ခန့် လျော့နည်းစေနိုင်ခြင်းဖြစ်ပါသည်။ ဤအချက်မှာ ဖေ့စ်ဒ်အေးရိယာစနစ်များတွင် တစ်ခုထက်ပိုသော ချန်နယ်များတွင် သန့်ရှင်းသော အချက်အလက်များကို ထိန်းသိမ်းရာတွင် အထောက်အကူဖြစ်စေပါသည်။

အသုံးပြုမှုအတွက် သင့်တော်မှု- ရဒါ၊ ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များ၊ အီလက်ထရွန်နစ် စစ်ပွဲစနစ်များ

L မှ X ဘန်းဒ်များအထိ ကျယ်ပြန့်စွာလုံခြုံရေးအတွက် အကွာအဝေးရှည် စူးစမ်းစစ်ဆေးမှုရဒါစနစ်များနှင့် အနည်းဆုံး 200 ဝပ် အထွတ်အထားရှိသည့် အင်အားပေးစနစ်များအတွက် ခရီးသွားလှိုင်းပြွန်များသည် ဖြေရှင်းနည်းအဖြစ် ဆက်လက်ရှိနေပါသည်။ နောက်ပိုင်းတွင် ဂယ်လီယမ် နိုက်ထရိုက်အမ်ပလီဖိုင်ယာများသည် ယနေ့ခေတ်တွင် အများစုကိုယူပြီးသားဖြစ်သည်။ ဂါန်အမ်ပလီဖိုင်ယာများသည် 2 မှ 6 ဂစ်ဂါဟာဇ် အထိ အကျယ်ပြန့်အားလုံးကို ပေးနိုင်သောကြောင့် မှာယူမှုများကို မြန်မြန်ဆန်ဆန်ပြောင်းလဲရန်လိုအပ်သည့်စနစ်များအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်ပါသည်။ ထို့အပြင် ဂါန်အမ်ပလီဖိုင်ယာများသည် အရွယ်အစား၊ အလေးချိန်နှင့် စွမ်းအင်စားသုံးမှုကို အများအားဖြင့် 60% လျော့နည်းစေပါသည်။ မကြာသေးမီက စစ်ဘက်ဆိုင်ရာ သုတေသနများအရ ဂါန်အစိတ်အပိုင်းများဖြင့်တည်ဆောက်ထားသော အနှောက်အယှက်ပစ္စည်းများသည် အက်စ်ဘန်းဒ် လုပ်ငန်းစဉ်များအတွင်း တူညီသော တီဝီတီ အခြေခံစနစ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက အပူချိန်ကို ၄၀% လျော့နည်းစေပါသည်။ အဆင့်များကို တူညီစွာထိန်းသိမ်းထားပါသည်။ ဂါန် ဒရိုင်ဘာများနှင့် တီဝီတီ အဆုံးသတ်အဆင့်များကို ကေးဘန်းဒ် ဒုံးပျံများအတွက် ပေါင်းစပ်သုံးစွဲနေသည့် အင်ဂျင်နီယာများကိုလည်း တွေ့ရပါသည်။ ဤရောနှောသုံးစွဲမှုသည် ဂါန်၏စွမ်းအင်ခြွေတာမှုနှင့် အမှန်တကယ်လိုအပ်သော အမြင့်ဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်များအတွက် လိုအပ်သော အင်အားကို ပေးဆောင်နိုင်သောကြောင့် အနာဂတ်တွင် ကောင်းမွန်သောအလားအလာရှိပါသည်။

မကြာခဏမေးသောမေးခွန်းများ- RF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာများ

RF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာများသည် အပလီကေးရှင်းများအလိုက် မည်သည့်ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းများတွင် လည်ပတ်ပါသလဲ။

Ka-Band (26.5 မှ 40 GHz)၊ Q-Band (33 မှ 50 GHz) နှင့် mmWave (30 မှ 300 GHz) တို့ကဲ့သို့သော ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းများတွင် RF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာများသည် ဂြိုလ်တုဆက်သွယ်ရေး၊ ရဒါစနစ်များနှင့် အီလက်ထရွန်းနစ်စစ်ပွဲအပလီကေးရှင်းများအတွက် လည်ပတ်ပါသည်။

လေထုအခြေအနေများသည် RF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မည်သို့သက်ရောက်ပါသလဲ။

မိုးရေကြောင့် ဆိုင်းငံ့ခြင်းနှင့် အောက်ဆီဂျင်စုပ်ယူမှုကဲ့သို့သော လေထုအခြေအနေများသည် အချက်အလက်လှိုင်းအရည်အသွေးကို သက်ရောက်စေပြီး အဆက်အသွယ်တည်ငြိမ်မှုကို ထိန်းသိမ်းရန်အတွက် အမ်ပလီဖိုင်ယာများအား ထပ်တိုးပါဝါကို ထောက်ပံ့ပေးရန် လိုအပ်ပါသည်။ အထူးသဖြင့် Ka-Band နှင့် Q-Band ကဲ့သို့သော မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းအပိုင်းများတွင်။

RF အမ်ပလီဖိုင်ယာများတွင် P1dB ချုပ်နှောင်မှု၏ အရေးပါမှုမှာ အဘယ်နည်း။

P1dB ချုပ်နှောင်မှုသည် အမ်ပလီဖိုင်ယာသည် မလိမ်မှုပြုမူမှုကို စတင်ပြသသောအချိန်တွင် ဖြစ်ပြီး ဒစ်စတာရှင်းကိုဖြစ်စေသည်။ ချုပ်နှောင်မှုကိုရှောင်ရှားရန်နှင့် အချက်အလက်အရည်အသွေးကို ထိန်းသိမ်းရန်အတွက် P1dB အောက်တွင် လည်ပတ်ရန် အရေးကြီးပါသည်။

RF အမ်ပလီဖိုင်ယာများ၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို အပူချိန်စီမံမှုသည် မည်သို့သက်ရောက်ပါသလဲ။

အမြဲတမ်းအပူစီမံမှုသည် RF အများပြားမှုများ၏ သက်တမ်းကို ကြာရှည်စေရန်အတွက် အရေးကြီးပါသည်။ အပူပျောက်ကွယ်စေရန် ထိရောက်မှုမရှိပါက အမြဲတမ်းအစားထိုးမှုများနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချမှု လျော့နည်းစေပြီး အမြဲတမ်းအားကြီးများအတွက် အရည်အေးစက်များကဲ့သို့သော တိုးတက်သော အေးစက်နည်းပညာများကို လိုအပ်ပါသည်။

TWT နှင့် GaN အများပြားမှုများကြား ရွေးချယ်မှုသည် အဘယ်ကြောင့်အရေးကြီးသနည်း။

လုပ်ဆောင်မှုလိုအပ်ချက်များပေါ်တွင် မူတည်၍ TWT နှင့် Gallium Nitride (GaN) အများပြားမှုများကြား ရွေးချယ်မှုသည် မတူညီပါ။ TWT များကို အားကောင်းပြီး ကျယ်ပြန့်သော ပိုင်းနှုန်းများအတွက် ရွေးချယ်သုံးစွဲကြပြီး GaN အများပြားမှုများသည် စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် နိမ့်ပါးသော ကြိမ်နှုန်းနှင့် လျင်မြန်သော လုပ်ဆောင်မှုများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်ပါသည်။