RF ပါဝါပိုင်ခွင့်များ- ထုတ်ကုန်များတွင် နည်းပညာနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်

5G နှင့်နောက်ထပ်ကြိမ်တိုအသံလှိုင်းစနစ်များတွင် RF PA ၏အရေးပါသော အခန်းကဏ္ဍ

အသံလှိုင်းလွှဲပြောင်းမှုတွင် အလုပ်လုပ်ပုံနှင့် RF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာများကိုနားလည်ခြင်း

RF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာများ သို့မဟုတ် RF PAs တို့သည် ယနေ့ခေတ် ဝိုင်ဖိုင်းနည်းပညာများ၏ အဓိကအစိတ်အပိုင်းများအဖြစ် လုပ်ဆောင်ပါသည်။ အားနည်းသော ရေဒီယိုလှိုင်းများကို အကွာအဝေးများသို့ ပို့ဆောင်ပေးရန်နှင့် အတားအဆီးများကို ဖြတ်၍ ပို့ဆောင်ပေးရန်အတွက် အားကောင်းလာစေရန် ပြုလုပ်ပေးပါသည်။ အမ်ပလီဖိုင်ယာများသည် 5G ဆဲလ်တာဝါများ၊ ဆက်သွယ်ရေးအတွက် ဂြိုလ်တုများနှင့် ကျွန်ုပ်တို့နှင့်အတူ ယူဆောင်လာသော အင်တာနက်ချိတ်ဆက်ထားသော ကိရိယာများအားလုံးတွင် လက်ရှိတွင် အားကောင်းပြီး ရှင်းလင်းသော လက်ခံရရှိမှုကို ထိန်းသိမ်းပေးပါသည်။ 24 မှ 47 GHz အကြားရှိ millimeter wave 5G ကြိမ်နှုန်းများကို စဉ်းစားသောအခါ သင်္ချာသည် စိတ်ဝင်စားဖွယ်ကောင်းလာပါသည်။ အဆိုပါကြိမ်နှုန်းများသည် အဟောင်း sub 6 GHz ဘန်းဒ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက လက်ခံရရှိမှုအား လေးဆပိုဆုံးရှုံးနေပါသည်။ ထို့ကြောင့် အမ်ပလီဖိုင်ယာကောင်းများကို အသုံးပြုခြင်းသည် အလုပ်လုပ်နေသည့်အချိန်တွင် အရေးကြီးပါသည်။ နောက်ပိုင်းထွက် RF PAs များတွင် အသုံးပြုသူများအတွက် အကျိုးရှိစေမည့် အပ်လီကေးရှင်းများကို ပံ့ပိုးပေးရန်အတွက် အမ်ပလီဖိုင်ယာ၏ အားသာချက်များကို ထိန်းသိမ်းထားနိုင်သော adjustable bias settings နှင့် impedance matches များကို ပြောင်းလဲနိုင်သော စွမ်းရည်များပါဝင်ပါသည်။

5G နှင့် နောင်တွင်ဖြစ်လာမည့် ဝိုင်ယာလက်စ်ကွန်ရက်များ၏ RF PA များအပေါ်သက်ရောက်မှု

ကမ္ဘာ့ RF PA စျေးကွက်သည် 2030 ခုနှစ်အထိ နှစ်စဉ် 12.3% ဖြင့် ကြီးထွားလျက်ရှိပြီး (PwC 2023) က ခန့်မှန်းထားပါသည်။ ဤကြီးထွားမှုကို 5G တွင် ကျယ်ပြန့်သော လုပ်ဆောင်မှု၊ အမှန်အကန်မှုနှင့် စွမ်းအင်ထိရောက်မှုတို့အတွက် တင်းကျပ်သော လိုအပ်ချက်များကြောင့် ဖြစ်ပေါ်လာခဲ့ခြင်းဖြစ်ပါသည်။ အဓိကလိုအပ်ချက်များမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်ပါသည်-

• ကျယ်ပြန့်သော လုပ်ဆောင်မှု : 5G NR ကွန်ရက်များတွင် 100–400 MHz ချန်နယ် ပိုင်းခြားမှုကျယ်များကို ထောက်ပံ့ပေးခြင်း
• အမှန်အကန်မှုမြင့်မားခြင်း : 256-QAM နှင့် massive MIMO ပုံစံများတွင် အသံသွင်ပြားမှုကို နိမ့်ပါးစေခြင်း
• စွမ်းအင်ထိရောက်မှု : 4G စနစ်များနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက DC စွမ်းအင် စားသုံးမှုကို 30–50% လျော့နည်းစေခြင်း

3.5 GHz CBRS ကွန်ရက်များနှင့် 28 GHz mmWave သေးငယ်သောဆဲလ်များကို တပ်ဆင်သည့် အုပ်ချုပ်သူများသည် GaN-based RF PAs ကို ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းအင်သိုလှောင်မှုနှင့် အပူခံနိုင်ရည်ရှိမှုကြောင့် နှစ်သက်ကြပါသည်။

မိုဘိုင်းနှင့် အခြေခံအဆောက်အအုံ အသုံးချမှုများတွင် RF ရှေ့ပိုင်းနည်းပညာ၏ တိုးတက်မှု

ခေတ်မီ RF ရှေ့ပိုင်း မော်ဂျူးများသည် တစ်ခုတည်းသောချစ်ပ်ဖြင့် ဖြေရှင်းနည်းများအတွင်း PAs ကို အနည်းဆုံးသံစဉ်မြှင့်စက်များ၊ စစ်ထုတ်ကိရိယာများနှင့် အပ်စက်များနှင့် ပေါင်းစပ်ထားပြီး တစ်ခုခုစီကွဲပြားသော ဒီဇိုင်းများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက နေရာကို 60% လျော့နည်းစေပါသည်။ ဤပေါင်းစပ်မှုသည် အောက်ပါအတိုင်း ဖြစ်စေပါသည်-

1. စမတ်ဖုန်းများ : ပိုက်ဆံစုံကြိမ်နှုန်း 16 ခုအထက်တွင် ကုန်ပစ္စည်းများပေါ်ရှိ ကြိမ်နှုန်းပေါင်းစည်းမှု
2. ဖွင့်ထားသော RAN စနစ်များ : O-RAN တည်ဆောက်ပုံများတွင် ဆော့ဖ်ဝဲဖြင့် ပါဝါထိန်းချုပ်မှု
3. ဂြိုလ်တု IoT : LEO ဂြိုလ်တုချိတ်ဆက်မှုအတွက် ဘက်ထရီဖြင့် လည်ပတ်သော စက်ပစ္စည်းများတွင် 20 dBm ထွက်ပေါက်ပါဝါ

စမတ်ဖုန်း PA စျေးကွက်များတွင် ဆီလီကွန်-အီးနှင့် GaAs တို့သည် အများဆုံးအသုံးပြုကြပြီး 6 GHz ထက်မြင့်သော အခြေခံအဆောက်အအုံများအတွက် 10–100W ထွက်ပေါက်ပါဝါလိုအပ်သော စနစ်များတွင် GaN နှင့် LDMOS တို့ကို နှစ်သက်ကြသည်။

Gallium Nitride (GaN) တော်လှန်ရေး- RF PA ထိရောက်မှုနှင့် ပါဝါသိပ်သည်းဆကို တိုးတက်စေခြင်း

အမြင့်မှာဖြစ်သော RF ပါဝါပြောင်းလဲရေးတွင် Gallium Nitride (GaN) ၏ အားသာချက်များ

ဂေးလီယမ် နိုက်ထရိုက် (Gallium Nitride) သို့မဟုတ် အကြမ်းဖျင်းအားဖြင့် GaN ဟုခေါ်သောအရာသည် ယခုအခါတွင် မြင့်မားသောကြိမ်နှုန်းများရှိသည့် RF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာများအတွက် အသုံးပြုသည့် ပစ္စည်းဖြစ်လာပါသည်။ အကိုးအကားအရ 2023 ခုနှစ်က Future Market Insights မှ စျေးကွက်သုတေသနအရ အဟောင်းများနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက ထိရောက်မှုနှင့် စွမ်းအင်သိပ်သည်းဆတို့တွင် တိုးတက်မှုများမှာ အံ့သြဖွယ်ကောင်းလောက်အောင်ဖြစ်ပါသည်။ 5G mmWave ဘန်းများတွင် GaN ဖြင့် တပ်ဆင်ထားသော အမ်ပလီဖိုင်ယာများကို စဥ်းစားကြည့်ပါ။ အမ်ပလီဖိုင်ယာများသည် ပါဝါထည့်သွင်းမှု၏ 70% အထိ ထိရောက်မှုရရှိပြီး GaAs နည်းပညာများနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက 40% ပိုမိုကောင်းမွန်ပါသည်။ အဘယ်ကြောင့်ဆိုသော် GaN တွင် ပိုမိုကျယ်ပြန့်သော ဘန်းဂက် (bandgap) ဂုဏ်သတ္တိရှိပြီး ပိုမိုသေးငယ်သောနေရာများတွင် ပိုမိုများပြားသော စွမ်းအင်ကို ထည့်သွင်းနိုင်စေပါသည်။ ကျွန်ုပ်တို့သည် မီလီမီတာလျှင် 8 မှ 10 ဝပ်ရှိသော စွမ်းအင်သိပ်သည်းဆကို ပြောနေခြင်းဖြစ်ပြီး GaAs နှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါက မီလီမီတာလျှင် 1 မှ 2 ဝပ်သာရှိပါသည်။ ထို့အပြင် GaN သည် အပူချိန် 200 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ကျော်လွန်သောအခါတွင်ပင် တည်ငြိမ်မှုရှိနေပါသည်။ ဤဂုဏ်သတ္တိများအားလုံးကြောင့် mmWave ဘေ့စ်စတေးရှင်းများ၊ ရဒါကိရိယာများ၊ နှင့် စတုတင်နှုန်းဆက်သွယ်ရေးစနစ်များတွင် အထူးသင့်တော်ဖြစ်စေပါသည်။ ထိုနေရာများတွင် အအေးခံရမှုမရှိဘဲ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိန်းသိမ်းရခြင်းသည် အလွန်အရေးကြီးပါသည်။

GaN နှင့် အမျိုးအစားအားဖြင့် ပစ္စည်းများနှိုင်းယှဉ်ခြင်း- RF PA အသုံးချမှုများတွင် စွမ်းဆောင်ရည်နှိုင်းယှဉ်ခြင်း

GaN သည် LDMOS နှင့် GaAs တို့ကို အဓိကပါရာမီတာများစွာတွင် ကျော်လွန်သည်။ ဥပမာအားဖြင့် GaN ပြူပေါင်းများသည် 28 GHz 5G ဘေ့စ်စတေးရှင်းများတွင် GaAs နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက 3–ဆ ပိုမိုကျယ်ပြန့်သော ဘက်စ်ဝင်းကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး massive MIMO arrays တွင် အစိတ်အပိုင်းအရေအတွက်ကို 60% လျော့နည်းစေသည်။

ကုန်ကျစရိတ်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်- GaN နှင့် SiC သည် အမြင့်ပါဝါ RF စနစ်များတွင်

ဆီလီကွန်ကာဘိုင်းပေါ်တွင် GaN သည် ဆီလီကွန်ပေါ်တွင် GaN ထက် အပူစီးကူးမှုအားဖြင့် သာလွန်ပါသည်။ ဆီလီကွန်ပေါ်တွင် GaN သည် ၁၇၀ W/mK ဖြစ်သော်လည်း GaN သည် ဆီလီကွန်ကာဘိုင်းပေါ်တွင် ၃၅၀ W/mK ရှိပါသည်။ သို့သော် အားနည်းချက်တစ်ခုရှိပါသည်။ ဤ SiC ပိုင်းများထုတ်လုပ်ရာတွင် ကုန်ကျစရိတ်သည် ၃၀% ခန့်ပိုမိုကုန်ကျပြီး နေ့စဉ်သုံး စားသုံးသူပစ္စည်းများတွင် မကြာခဏအသုံးမပြုရသေးပါ။ သို့ရာတွင် တပ်မတော်နှင့် အာကာသလုပ်ငန်းများတွင် စျေးနှုန်းကို အလေးအနက်ထားမှုမရှိပဲ အမြင့်ဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်ကို လိုအပ်ပြီး GaN/SiC တွဲဖက်မှုများက အတိအကျထောက်ပံ့ပေးပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့် ဤမျိုးစပ်ပစ္စည်းများသည် အီလက်ထရွန်နစ်စစ်ပွဲစနစ်များတွင် ထုတ်လွှင့်ရေးအကွာအဝေးကို တစ်ဝက်ခန့်တိုးမြှင့်ပေးနိုင်ပြီး အေးစက်ပစ္စည်းများကိုလည်း တစ်ဝက်ခန့်သာလိုအပ်ပါသည်။ အခြေအနေများမှာ တိုးတက်လာပါသည်။ အတန်းလိုက် ပစ္စည်းများထုတ်လုပ်မှုတိုးတက်မှုများကြောင့် ထုတ်လုပ်မှုထွက်ရှိနှုန်းများသည် နှစ်စဉ်တိုးတက်လျက်ရှိပါသည်။ ၂၀၂၀ ခုနှစ်မှစ၍ ထုတ်လုပ်သူများသည် နှစ်စဉ်အောင်မြင်မှုနှုန်း ၁၅% ခန့်တိုးတက်မှုကိုတွေ့ရပြီး ဤအမြင့်ဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသည့်ရွေးချယ်စရာများနှင့် ပိုမိုတန်ဖိုးနိမ့်ပေးသည့် ရွေးချယ်စရာများကြားစျေးနှုန်းကွာခြားမှုကို တဖြည်းဖြည်းလျော့နည်းလာပါသည်။

စွမ်းအင်ထိရောက်ခြင်းနှင့် မျဉ်းဖြောင့်မှု- RF PA ဒီဇိုင်းတွင် အဓိကတိုးတက်မှုများ

စွမ်းအင်ထိရောက်သော RF PA ဆာကစ်များကို မောင်းနှင်သည့် အက်စ်အီးများတွင် တီထွင်မှုများ

ဂါနီယမ်နိုင်ထရိုဒ် (GaN) နှင့် ဆီလီကွန်ကာဘိုဒ် (SiC) ကဲ့သို့ ကျယ်ပြန့်သော ဘန်းဂက်ပ်ပစ္စည်းများတွင် နောင်တွင် တီထွင်မှုများကြောင့် ရေဒီယိုဖရီကွင်စီ ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်တွင် အမှန်တကယ်ကွာခြားသော အကျိုးသက်ရောက်မှုများ ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ GaN အမ်ပလီဖိုင်ယာများသည် ကျယ်ပြန့်သော ဘန်းဝစ်တွင် 70 မှ 83 ရာခိုင်နှုန်းအထိ စွမ်းအင်ထိရောက်မှုကို အဆင့်မြှင့်တင်ပေးသည်။ ဤသို့ဖြစ်ရခြင်းမှာ အင်ဂျင်နီယာများသည် ဗို့အားနှင့် စီးရင်းလျှပ်စီးကြောင်းများကြား တူညီမှုကို လျော့နည်းစေသည့် ဟာမိုနစ်များကို ထိန်းချုပ်နိုင်သော နည်းလမ်းများကို တီထွင်နိုင်ခြင်းကြောင့်ဖြစ်သည်။ ရိုးရှင်းသော ဆီလီကွန်နှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ဒီဇိုင်းအသစ်များသည် စွမ်းအင်ကို အကုန်လွန်းသော ပမာဏကို နှစ်ဆလျော့နည်းစေသည်။ ဤသည်မှာ 5G အခြေခံအဆောက်အဦများတွင် အရေးကြီးသော စွမ်းအင်စရိတ်နှင့် အပူချုပ်ထိန်းမှုကိစ္စများကို တိုးတက်စေသည်။ Class-EF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာကို ဥပမာအဖြစ်ယူပါက အကျိုးရှိနိုင်သမျှ စွမ်းအင်ကို ဖိနှိပ်ရယူသော နည်းပညာများကြောင့် အထွက်ပါဝါကို 39.5 dBm ထက်မနည်း တည်ငြိမ်စွာထိန်းပေးသည်။

မူလတန်ဖိုးတိုးတက်လာစေရန်အတွက် ဒစ်ဂျစ်တယ်အလျော့သင့်ခြင်း (DPD) နှင့် ပါဝါထိရောက်ခြင်း

256-QAM ကဲ့သို့သော အမှတ်တံဆိပ်ကို မပြောင်းလဲနိုင်သော မိုဒူလေးရှင်းစနစ်များသည် ရေဒီယိုဖရီကွင်စီ ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာများမှ အလွန်ကောင်းမွန်သော မူလတန်ဖိုးကို တောင်းဆိုပါသည်။ ဖြေရှင်းနည်းမှာ အမ်ပလီဖိုင်ယာကို ဖြတ်သန်းသွားသောအခါတွင် အသံသွင်ပြောင်းလဲမှုများကို ပြင်ဆင်ပေးသော ဒစ်ဂျစ်တယ်အလျော့သင့်ခြင်းနည်းပညာဖြစ်ပါသည်။ အချိန်နှင့်တပြေးညီ ပြန်လည်သုံးသပ်သော ဆုံမှတ်များကို အသုံးပြု၍ ထည့်သွင်းမှုလက်ခံရရှိသော အချက်များကို လှည့်ပတ်ပေးခြင်းဖြင့် အဆိုပါနည်းပညာသည် အသစ်ပေါ်ထွက်နေသော 5G massive MIMO စီမံခန့်မှုများတွင် ACLR စွမ်းဆောင်ရည်ကို ဒက်စီဘယ် ၈ မှ ၁၂ အထိ တိုးတက်စေနိုင်ပါသည်။ အလားအလာအားဖြင့် အမ်ပလီဖိုင်ယာများသည် ကျယ်ပြန့်သော 100 MHz OFDM အချက်များကို ကိုင်တွယ်ရာတွင် PAE ထိရောက်မှုကို ၆၅% ထက်ပိုမိုစေပါသည်။ ထို့ကြောင့် အင်ဂျင်နီယာများသည် စပက်ထရမ်အသုံးပြုမှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပြီး ပါဝါစားသုံးမှုကိုလည်း တပြိုင်နက် ရရှိနိုင်ပါသည်။ အဆိုပါအချက်များသည် ခေတ်မီ ဝိုင်ဖိုင်းကွန်ရက်စနစ်များအတွက် အလွန်အရေးပါပါသည်။

အသေးစားပြုခြင်းနှင့် ရေရှည်တည်တံ့သော RF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုတို့တွင် ပုံစံချခြင်း

အသေးစားပြုခြင်းနှင့် ရေရှည်တည်တံ့မှုတို့သည် RF PA ဒီဇိုင်းတွင် တီထွင်ဖန်တီးမှုကို တွန်းအားပေးနေပါသည်-

• မိုနိုလစ်တစ်မိုက်ခရိုဝိဖ် ICs (MMICs) gaN အမှောလီဖိုင်ယာများကို ပက်စ်စီးဗ်များနှင့် ပေါင်းစပ်၍ ဘုတ်ကွက်နေရာကို ၆၀% လျော့နည်းစေခြင်း
• အိုင်အေ-မောင်းနှင်သော အပူချိန်အကောငဍာများကို အသုံးပြု၍ အစိတ်အပိုင်းများ၏ သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးခြင်း 30% ကြိုတင်ခန့်မှန်းသော ဖိနှိပ်မှုစီမံခန့်ခွဲမှုအားဖြင့်
• ပြန်လည်အသုံးပြုနိုင်သော အခြေခံပစ္စည်းများကြောင့် RF မော်ကွန်းများတွင် စွမ်းအင်ကို လျော့နည်းစေခြင်း ၂၂%

ဒီတိုးတက်မှုများက မြို့ပြ ၅G တပ်ဆင်မှုများတွင် ပိုမိုများပြားသော ချန်နယ်သို့မဟုတ် ပိုမိုများပြားသော အိုင်ပီများကို ထောက်ပံ့ပေးပြီး ကမ္ဘာ့စွန့်ထုတ်မှုများကိုလည်း ကိုက်ညီစေပါသည်။ တိုးတက်သော ပကေ့က်ကိုင်တွယ်မှုနှင့် ဒစ်ဂျစ်တယ် တွင်းဆင်များကို အသုံးပြု၍ တည်ငြိမ်သော ပရိုတိုကောက်ပိုမိုမြန်ဆန်စေရန် ၄၀% အထိ တိုးမြှင့်ပေးနေပါသည်။

အမြင့်စွမ်းအားသို့မဟုတ် RF PA တွင် အပူချိန်စီမံခန့်ခွဲမှုနှင့် စွမ်းအားသို့မဟုတ် ပိုမိုများပြားမှုစိန်ခေါ်မှုများ

အမြင့်စွမ်းအားသို့မဟုတ် RF အမှောလီဖိုင်ယာများအတွက် အပူချိန်စီမံခန့်ခွဲမှုဖြေရှင်းချက်များ

အမြင့်ဆုံး RF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာများတွင် ပေါင်းချိန်သည် စတုရန်းမီလီမီတာလျှင် ၅ ဝပ်ထက် ပိုမိုမြင့်တက်လာသောအခါ ဒီဇိုင်းနာများအတွက် အပူချိန်ကို ထိန်းချုပ်ရာတွင် အကြီးမားဆုံးပြဿနာများထဲမှ တစ်ခုဖြစ်လာပါသည်။ ဂယ်လီယမ် နိုက်ထရိုက်နှင့် ဆီလီကွန်ကာဘိုဒ်ကဲ့သို့သော ပစ္စည်းများသည် ရှေ့တွင်ကုန်ဆုံးသော ကူးလူပ်ပြားများထက် အပူကို လျော့နည်းစွာကူးလူပ်ပေးနိုင်သည်။ ဆဲလ်တာဝါပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုသောအခါ ၄၀ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ခန့် ဆူပူမှုကိုလျော့နည်းစေသောကြောင့် ဤအချက်သည် အမှန်တကယ်ကြီးမားသော ကွာခြားမှုဖြစ်ပါသည်။ အပူချိန်ကိုထိန်းချုပ်ရာတွင် အင်ဂျင်နီယာများသည် အလွှာများစွာပါဝင်သော အကူးအပြောင်းပစ္စည်းများ၊ အန်တီနာပြွန်များ၊ အပူကိုအေးစေသောစနစ်များနှင့် တစ်စက်တွင် ၁ ကစ်လိုဝပ်ထက်ပိုမိုမြင့်တက်သော အပူစီးဆင်းမှုကိုကိုင်တွယ်ရန် အခြားနည်းလမ်းများကိုလည်း လှည့်စားနေကြပါသည်။ ဥပမာအားဖြင့် ရာမိုက်ပါဝါမော်ဂျူးဒီဇိုင်းများတွင် အပူချိန်ကိုခံနိုင်ရည်ရှိသော ပစ္စည်းများကို ၂၂% ခန့်တိုးတက်မှုကို ပြသခဲ့ပါသည်။

5G massive MIMO အကြိမ်အပိုင်းများတွင် အပူချိန်ပြောင်းလဲမှုကြောင့် ၅၈% အားပျက်စီးမှုဖြစ်စေသည် (Ponemon 2023)။

အပူချိန်ဖိစီးမှုအောက်ရှိ RF အမှန်ပီးဖြစ်မှု-ယုံကြည်စိတ်ချမှုနှင့် တည်ငြိမ်မှု

အပူချိန် ဖိအားများသည် RF ပါဝါအမ်ပလီဖိုင်ယာများကို ထိခိုက်လာသည့်အခါတွင် ချန်နယ်အပူချိန်များသည် ၁၇၅ ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်ကျော်လွန်သွားသည့်အခါတွင် တစ်ကိုယ်ရှိ လိုင်းနာရီတီ (linearity) သည် ၁၅ မှ ၂၀ ရာခိုင်နှုန်းခန့် ကျဆင်းတတ်ပါသည်။ အပူပြဿနာသည် 64-QAM OFDM အခှုက်များအတွက် အမှားကဦးညွှန်းချက် (error vector magnitude) တိုင်းတာမှုများကို ထိခိုက်စေပြီး အလုပ်များသောကာလများအတွင်းတွင် ၅G ဒေတာ သယ်ယူပို့ဆောင်ရေးနှုန်းများကို ၃၀ ရာခိုင်နှုန်းအထိ လျော့နည်းစေနိုင်ပါသည်။ အင်ဂျင်နီယာများသည် ဒစ်ဂျစ်တယ် ရှေ့ကြို ပုံစံခွဲခြားသောနည်းပညာများကို အပူချိန် ပြင်စီမံမှုစနစ်များနှင့် တစ်ပြိုင်နက် ပေါင်းစပ်၍ ဤပြဿနာကို ဖြေရှင်းနေကြပါသည်။ ဤနည်းလမ်းများ ပေါင်းစပ်ခြင်းဖြင့် နီးစပ်သောချန်နယ်ထွက်ယွင်းမှု (adjacent channel leakage ratio) ကိုထိန်းချုပ်ထားနိုင်ပြီး အများအားဖြင့် -50 dBc နှင့် အောက်တွင် ထိန်းသိမ်းထားနိုင်ပါသည်။ အပူချိန်သည် လုပ်ဆောင်မှုအခြေအနေများအလိုက် မျှတမထားသော ပြောင်းလဲမှုများကို တွေ့ကြုံနေရသည့်အခါတွင်ပင်ဖြစ်ပါသည်။

ယခုအခါတွင် အရေးကြီးသော ယုံကြည်စိတ်ချရမှု စံနှုန်းများတွင် အောက်ပါအတိုင်းပါဝင်ပါသည်-

• ကားရေဒါ မော်ဂျူးများတွင် ၁၀၀,၀၀၀ ကျော်သော အပူချိန်စုစည်းမှု စက်ဝန်းများ
• ၁,၀၀၀ အလုပ်လုပ်နေသောနာရီများအတွက် ၀.၅% ထက်နည်းသော စွမ်းဆောင်ရည် လွဲခြောက်မှု
• အပူချိန်မြင့်မားသော လုပ်ဆောင်မှုအသက်တာ (HTOL) စမ်းသပ်မှုများတွင် ၉၅% ထုတ်လုပ်မှု

AI မှ အပူချိန် မော်ဒယ်လုပ်ခြင်းက 28 GHz ဘီမ်ဖော်မင်း အာရေးများတွင် 99.99% တည်ငြိမ်မှုကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး ပတ်ဝန်းကျင် အပူချိန် 55°C တွင်ပင် တည်ငြိမ်မှုရှိနေစေသည်။

မေးမြန်းမှုများ

5G ကွန်ရက်များတွင် RF ပါဝါ အမ်ပလီဖိုင်ယာများ၏ အခန်းကဏ္ဍမှာ အဘယ်နည်း။

RF ပါဝါ အမ်ပလီဖိုင်ယာများသည် 5G ကွန်ရက်များတွင် ရှင်းလင်းပြတ်သားသော ဆက်သွယ်မှုကို အာမခံပေးရန် အားနည်းသော ရေဒီယို အသံလှိုင်းများကို မြှင့်တင်ပေးသည်။ ထို့ပြင် အကွာအဝေးရှည်များနှင့် အတားအဆီးများကို ဖြတ်ကျော်၍ ထိရောက်စွာ ထုတ်လွှင့်ပေးနိုင်သည်။

GaAs နှင့် GaN တို့ကို အသုံးပြု၍ RF အမ်ပလီဖိုင်များ တည်ဆောက်ရာတွင် GaN ကို ဘာကြောင့် ပိုမိုနှစ်သက်ကြသနည်း။

GaAs နှင့် LDMOS ကဲ့သို့သော အမျိုးအစားများနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက GaN သည် ပိုမိုကောင်းမွန်သော စွမ်းဆောင်ရည်၊ ပါဝါ သို့မဟုတ် စွမ်းအင် သိမ်းဆည်းမှုနှင့် အပူချိန် တည်ငြိမ်မှုတို့ကို ပေးစွမ်းနိုင်သည်။ ထို့ကြောင့် 5G ဘေ့စ်စတေးရှင်းများနှင့် ရဒါ စနစ်များကဲ့သို့သော မြင့်မားသော ကြိမ်နှုန်းများအတွက် အသုံးပြုရန် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။

GaAs နှင့် SiC ပြားများကို အသုံးပြု၍ မြင့်မားသော ပါဝါ RF စနစ်များတွင် နှိုင်းယှဉ်ပါ။

SiC ပြားများပေါ်တွင် GaN ကို အသုံးပြုခြင်းသည် ဆီလီကွန်ပြားများပေါ်တွင် GaN ကို အသုံးပြုခြင်းနှင့် နှိုင်းယှဉ်ပါက ပိုမိုကောင်းမွန်သော အပူချိန် စီးဆင်းမှုကို ပေးစွမ်းနိုင်သော်လည်း ထုတ်လုပ်မှုစရိတ်မှာ ပိုမိုများပြားသည်။ သို့ရာတွင် စစ်တပ်နှင့် အာကာသ အသုံးပြုမှုများတွင် စွမ်းဆောင်ရည်မှာ စရိတ်ကို ကျော်လွန်သော အချက်ဖြစ်သည်။

စွမ်းအင် ထိရောက်မှုအတွက် RF PA ဒီဇိုင်းများတွင် ဘယ်သို့သော တိုးတက်မှုများ ပြုလုပ်နေကြသနည်း။

ဂဲလီယမ်နိုင်ထရိုက် (GaN) နှင့် ဆီလီကွန်ကာဘိုဒ် (SiC) အစရှိသည့် အသစ်သော ကွားမီကွန်ဒေါင်တာ နည်းပညာများသည် ဟားမောနစ်များကို ထိန်းချုပ်ခြင်းဖြင့် စွမ်းအင်ဆုံးရှုံးမှုကို လျော့နည်းစေပြီး စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည်။ 5G အခြေခံအဆောက်အအုံများအတွက် အရေးကြီးသော နည်းပညာဖြစ်သည်။

အမြင့်ဆုံးပါဝါ RF အမ်ပလီဖိုင်ယာများတွင် အပူချိန်ကို ထိန်းချုပ်ရာတွင် အင်ဂျင်နီယာများသည် ဘယ်နည်းနှင့် ဖြေရှင်းနေကြသနည်း။

အမ်ပလီဖိုင်ယာများတွင် အပူချိန်များကို ထိန်းချုပ်ရန်အတွက် အင်ဂျင်နီယာများသည် အဆင့်များစွာပါဝင်သော ပစ္စည်းများ၊ အမ်းရိုးခေါင်းဆောင်များနှင့် အရည်အေးစက်စနစ်များကဲ့သို့ တိုးတက်သော အပူချိန်ထိန်းချုပ်မှု ဖြေရှင်းချက်များကို အသုံးပြုကြသည်။